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Si1303DL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.0
1.6
1.2
0. 8
V GS = 2.5 V
V GS = 3.6 V
250
200
150
100
C iss
C oss
0.4
0.0
V GS = 4.5 V
50
0
C rss
0
1
2
3
4
5
6
0
4
8
12
16
20
12
9
6
3
0
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 1 A
1.6
1.2
0. 8
0.4
0.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 1 A
0
1
2
3
4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
2.5
2.0
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1
I D = 1 A
1.5
0.1
1.0
T J = 25 °C
0.01
0.5
0.001
0.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71075
S10-0110-Rev. F, 18-Jan-10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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